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美国空军拟向产业界转移0

日期:2020-01-04编辑作者:战争

[据美国军事与航空电子网站2013年4月25日报道] 美国空军拟向产业界转移氮化镓微波单片集成电路微米制造工艺,并在国内建立可满足国防部要求的代工生产线。 位于赖特·帕特森空军基地的空军研究实验室在上周末发布了“单片微波集成电路供应商制造能力”项目公告,希望将其研发的0.14微米 碳化硅基AlGaN/GaN MMIC制造工艺能力转移到产业界,具体包括工艺转移和优化、制造能力建设和试样晶圆制造,重点是增强工艺的一致性、产量和可靠性。该项目将在晶圆实现量产后结束。 空军官员称,生产代工线必须能够制造所有来自国防部的设计,同时提供具备竞争力的价格;中标的公司重点在于提升射频功率放大器、低噪声放大器和高频开关的产量和可靠性,并降低成本;空军将其研发的MMIC微米制造工艺转移给产业界是为了满足未来先进雷达发展的需求。 空军研究人员解释说,未来有源电子扫描阵列雷达传感器将使用氮化镓MMIC器件,来提升功率附加效率和使用多功能传感器阵列以拓宽工作频段。 空军官员称,与砷化镓和磷化铟MMIC器件相比,氮化镓器件可耐受更高的温度和电压,但氮化镓MMIC器件成本仍太高,而且美国本土只有有限的几家代工线。 美国国内代工线尚不具备空军研究实验室研发的0.14微米工艺生产能力。因此,该项目目标是建立新的GaN代工能力,并减少成本。 空军将在选定中标公司后,确定建立0.14umSiC基AlGaN/GaN代工线所缺少的设备,并进行购置和安装。中标的公司必须制定出工艺转化计划和开发工艺设计工具,然后将该PDK提供给一个无利益关系的设计公司,由其设计电路器件掩膜版以帮助建立制造基准。 空军希望在今年7月前授出合同,以加快项目进程,并只设置一个中标商。该项目今后四年的投资额分别是50万、150万、175万和120万美元。

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